Одночастотные лазерные модули
- Стабилизация длины волны с помощью волоконно-брэгговской решетки (для BLD лазеров)
- Возможность выбора длины волны с точностью до 0,5 нм(для BLD лазеров)
- MOCVD структуры
- Корпус 14-pin DIL, miniDIL или butterfly с встроенным термоэлектрическим охлаждением и фотодиодом обратной связи
- Коннектор FC/APC
- Одномодовое волокно
- Волокно с сохранением поляризации (опционально)
- Непрерывный и импульсный режимы работы
- Ресурс работы 100-500 тысяч часов
Подробное описание
Излучение полупроводниковых инжекционных лазеров имеет несколько продольных мод и достаточно большую ширину спектра (1–3 нм). Для многих практических лазерных применений важен одночастотный режим генерации. Одночастотные лазеры нашли самое широкое применение в технологиях волоконно-оптических линий связи со спектральным уплотнением каналов, спектроскопии высокого разрешения, в интерферометрии, в оптических датчиках, в медицине, в экологии. На первом этапе при создании одночастотных лазеров использовали лазерные диоды с коротким резонатором (100–200 мкм). Учитывая, что межмодовый интервал для таких излучателей велик, разница в усилении соседних мод значительна. В результате спектр излучения лазеров с коротким резонатором обычно имеет одну продольную моду. Перестройки длины волны этих лазеров можно добиться изменением температуры и тока накачки. Но малое значение выходной мощности, большая ширина линии излучения (100 МГц) и нестабильный режим работы – заметные недостатки, сопутствующие эксплуатации таких лазеров.
Многие практические применения одночастотных когерентных излучателей требуют значительно более высоких значений мощности и стабильности ширины узкой линии излучения. Чаще всего, в таких случаях, применяются лазеры с внешним резонатором, в качестве которого использована дифракционная решетка. Основными элементами конструкции подобных излучателей являются лазерный кристалл и брэгговская решетка, сформированная в одномодовом световоде. Задняя грань кристалла, формирующая резонатор, имеет отражающее покрытием с коэффициентом отражения до 90%, передняя грань – просветляющее покрытие с коэффициентом пропускания 0,01%. Коэффициент отражения решетки обычно составляет 10–20%, спектральная ширина решетки 0,1–0,2 нм. Для лучшего согласования лазерного кристалла с волоконным световодом на конце световода формируют цилиндрическую микролинзу, увеличивающую эффективность стыковки до 80%.
Активный элемент лазерного модуля создает свои собственные моды, в это же время внешний дифракционный элемент создает так называемые моды внешнего резонатора. Так как брэгговская решетка обладает частотно-избирательной селективностью, то в генерации участвуют только те моды, которые удовлетворяют условию усиления. При совпадении спектров усиления лазергого диода и отражения брэгговской решетки излучение становится более стабильным и узким, чем у лазеров с резонатором Фабри-Перо. Однако не стоит забывать, что с увеличением несовпадения между этими спектрами снижается значение максимальной мощности, при котором излучение останется стабильным. Повысить стабильность можно конструктивно, если подавить в резонаторе генерацию собственных мод резонатора Фабри-Перо кристалла лазерного диода. По этой причине широкое распространение получила конструкция активного элемента, представляющая собой двухпроходный усилитель. Благодаря введению скошенной передней грани в диоде не возникает генерации собственных мод.
Излучение лазеров с ВБР резонатором обычно имеет спектральную ширину менее 1 МГц и мощность до нескольких десятков миливатт.
Одночастотные лазерные модули с ВБР
Наименование модуля | Центральная длина волны | Максимальная оптическая мощность | Спектральная ширина | Рабочий ток | Корпус |
---|---|---|---|---|---|
BLD-633-14BF | 633 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 120 мА | Butterfly |
BLD-633-14DL | 633 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 120 мА | 14pinDIL |
BLD-638-14BF | 638 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 120 мА | Butterfly |
BLD-638-14DL | 638 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 120 мА | 14pinDIL |
BLD-660-14BF | 659 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 120 мА | Butterfly |
BLD-660-14DL | 659 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 120 мА | 14pinDIL |
BLD-775-14BF | 775 нм | 10 мВт | ≤ 1 МГц | 100 мА | Butterfly |
BLD-775-14DL | 775 нм | 10 мВт | ≤ 1 МГц | 100 мА | 14pinDIL |
BLD-790-14BF | 790 нм | 5 мВт | ≤ 1 МГц | 100 мА | Butterfly |
BLD-790-14DL | 790 нм | 5 мВт | ≤ 1 МГц | 100 мА | 14pinDIL |
BLD-808-14BF | 808 нм | 5 мВт | ≤ 1 МГц | 100 мА | Butterfly |
BLD-808-14DL | 808 нм | 5 мВт | ≤ 1 МГц | 100 мА | 14pinDIL |
BLD-830-14BF | 830 нм | 5 мВт | ≤ 1 МГц | 100 мА | Butterfly |
BLD-830-14DL | 830 нм | 5 мВт | ≤ 1 МГц | 100 мА | 14pinDIL |
BLD-850-14BF | 850 нм | 20 мВт | ≤ 1 МГц | 150 мА | Butterfly |
BLD-850-14DL | 850 нм | 20 мВт | ≤ 1 МГц | 150 мА | 14pinDIL |
BLD-940-14BF | 940 нм | 100 мВт | ≤ 1 МГц | 200 мА | Butterfly |
BLD-940-14DL | 940 нм | 100 мВт | ≤ 1 МГц | 200 мА | 14pinDIL |
BLD-976-14BF | 976 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 200 мА | Butterfly |
BLD-976-14DL | 976 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 200 мА | 14pinDIL |
BLD-1030-14BF | 1030 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 150 мА | Butterfly |
BLD-1030-14DL | 1030 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 150 мА | 14pinDIL |
BLD-1064-14BF | 1064 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 150 мА | Butterfly |
BLD-1064-14DL | 1064 нм | 30 мВт | ≤ 1 МГц | 150 мА | 14pinDIL |
DFB-1310-14BF | 1310 нм | 10 мВт | 5 МГц | 40 мА | Butterfly |
DFB-1310-14DL | 1310 нм | 10 мВт | 5 МГц | 40 мА | 14pinDIL |
BLD-1310-14BF | 1310 нм | 20 мВт | ≤ 0.5 МГц | 150 мА | Butterfly |
BLD-1310-14DL | 1310 нм | 20 мВт | ≤ 0.5 МГц | 150 мА | 14pinDIL |
DFB-1550-14BF | 1550 нм | 10 мВт | 5 МГц | 40 мА | Butterfly |
DFB-1550-14DL | 1550 нм | 10 мВт | 5 МГц | 40 мА | 14pinDIL |
DFB-1550-8DL | 1550 нм | 10 мВт | 5 МГц | 40 мА | miniDIL |
BLD-1550-14BF | 1550 нм | 20 мВт | 0.1 МГц | 200 мА | Butterfly |
BLD-1550-14DL | 1550 нм | 20 мВт | 0.1 МГц | 200 мА | 14pinDIL |
DFB-1650-14BF | 1650 нм | 7 мВт | 5 МГц | 40 мА | Butterfly |
DFB-1650-14DL | 1650 нм | 7 мВт | 5 МГц | 40 мА | 14pinDIL |
DFB-1650-8DL | 1650 нм | 7 мВт | 5 МГц | 40 мА | miniDIL |